1 引言

光刻技術(shù)作為半導體及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和進(jìn)步的關(guān)鍵技術(shù)之一，一方面在過(guò)去的幾十年中發(fā)揮了重大作用；另一方面，隨著(zhù)光刻技術(shù)在應用中技術(shù)問(wèn)題的增多、用戶(hù)對應用本身需求的提高和光刻技術(shù)進(jìn)步滯后于其他技術(shù)的進(jìn)步凸顯等等，尋找解決技術(shù)障礙的新方案、尋找COO更加低的技術(shù)和找到下一倆代可行的技術(shù)路徑，去支持產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步也顯得非常緊迫，備受人們的關(guān)注。就像ITRS對未來(lái)技術(shù)路徑的修訂一樣，上世紀基本上3～5年修正一次，而進(jìn)入本世紀后，基本上每年都有修正和新的版本出現，這充分說(shuō)明了光刻技術(shù)的重要性和對產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的影響。如圖1所示，是基于2005年ITRS對未來(lái)幾種可能光刻技術(shù)方案的預測。也正是基于這一點(diǎn)，新一輪技術(shù)和市場(chǎng)的競爭正在如火如荼的展開(kāi)，大量的研發(fā)和開(kāi)發(fā)資金投入到了這場(chǎng)競賽中。因此，正確把握光刻技術(shù)發(fā)展的主流十分重要，不僅可以節省時(shí)間和金錢(qián)，同時(shí)可以縮短和用戶(hù)使用之間的周期、縮短開(kāi)發(fā)投入的回報時(shí)間，因為光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的投入比較龐大。

2 光刻技術(shù)的紛爭及其應用狀況

眾說(shuō)周知，電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流和不可阻擋的趨勢是"輕、薄、短、小"，這給光刻技術(shù)提出的技術(shù)方向是不斷提高其分辨率，即提高可以完成轉印圖形或者加工圖形的小間距或者寬度，以滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求；另一方面，光刻工藝在整個(gè)工藝過(guò)程中的多次性使得光刻技術(shù)的穩定性、可靠性和工藝成品率對產(chǎn)品的質(zhì)量、良率和成本有著(zhù)重要的影響，這也要求光刻技術(shù)在滿(mǎn)足技術(shù)需求的前提下，具有較低的COO和COC。因此，光刻技術(shù)的紛爭主要是廠(chǎng)家可以提供給用戶(hù)什么樣分辨率和產(chǎn)能的設備及其相關(guān)的技術(shù)。

2.1 以Photons為光源的光刻技術(shù)

在光刻技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā)中，以光子為基礎的光刻技術(shù)種類(lèi)很多，但產(chǎn)業(yè)化前景較好的主要是紫外(UV)光刻技術(shù)、深紫外(DUV)光刻技術(shù)、極紫外(EUV)光刻技術(shù)和X射線(xiàn)(X-ray)光刻技術(shù)。不但取得了很大成就，而且是目前產(chǎn)業(yè)中使用多的技術(shù)，特別是前兩種技術(shù)，在半導體工業(yè)的進(jìn)步中，起到了重要作用。

紫外光刻技術(shù)是以高壓和超高壓汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧燈在近紫外(350～450nm)的3條光強很強的光譜(g、h、i線(xiàn))線(xiàn)，特別是波長(cháng)為365nm的i線(xiàn)為光源，配合使用像離軸照明技術(shù)(OAI)、移相掩模技術(shù)(PSM)、光學(xué)接近矯正技術(shù)(OPC)等等，可為0.35～0.25μm的大生產(chǎn)提供成熟的技術(shù)支持和設備保障，在目前任何一家FAB中，此類(lèi)設備和技術(shù)會(huì )占整個(gè)光刻技術(shù)至少50％的份額；同時(shí)，還覆蓋了低端和特殊領(lǐng)域對光刻技術(shù)的要求。光學(xué)系統的結構方面，有全反射式(Catoptrics)投影光學(xué)系統、折反射式(Catadioptrics)系統和折射式(Dioptrics)系統等，如圖2所示。主要供應商是眾所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH和SUSS MICROTECH等等。系統的類(lèi)型方面，ASML以提供前工程的l:4步進(jìn)掃描系統為主，分辨率覆蓋0.5～0.25μm：NIKON以提供前工程的1：5步進(jìn)重復系統和LCD的1：1步進(jìn)重復系統為主，分辨率覆蓋0.8～0.35μm和2～0.8μm；CANON以提供前工程的1：4步進(jìn)重復系統和LCD的1：1步進(jìn)重復系統為主，分辨率也覆蓋0.8～0.35μm和1～0.8μm；ULTRATECH以提供低端前工程的1：5步進(jìn)重復系統和特殊用途(先進(jìn)封裝／MEMS／，薄膜磁頭等等)的1：1步進(jìn)重復系統為主；而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l：1接觸／接近式系統和特殊用途(先進(jìn)封裝／MEMS／HDI等等)的1：1接觸／接近式系為主。另外，在這個(gè)領(lǐng)域的系統供應商還有USHlO、TAMARACK和EV Group等。

深紫外技術(shù)是以KrF氣體在高壓受激而產(chǎn)生的等離子體發(fā)出的深紫外波長(cháng)(248 nm和193 nm)的激光作為光源，配合使用i線(xiàn)系統使用的一些成熟技術(shù)和分辨率增強技術(shù)(RET)、高折射率圖形傳遞介質(zhì)(如浸沒(méi)式光刻使用折射率常數大于1的液體)等，可完全滿(mǎn)足O.25～0.18μm和0．18μm～90 nm的生產(chǎn)線(xiàn)要求；同時(shí)，90～65 nm的大生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)在開(kāi)發(fā)中，如光刻的成品率問(wèn)題、光刻膠的問(wèn)題、光刻工藝中缺陷和顆粒的控制等，仍然在突破中；至于深紫外技術(shù)能否滿(mǎn)足65～45 nm的大生產(chǎn)工藝要求，目前尚無(wú)明確的技術(shù)支持。相比之下，由于深紫外(248 nm和193 nm)激光的波長(cháng)更短，對光學(xué)系統材料的開(kāi)發(fā)和選擇、激光器功率的提高等要求更高。目前材料主要使用的是融石英(Fused silica)和氟化鈣(GaF2)，激光器的功率已經(jīng)達到了4 kW，浸沒(méi)式光刻使用的液體介質(zhì)常數已經(jīng)達到1.644等，使得光刻技術(shù)在選擇哪種技術(shù)完成100nm以下的生產(chǎn)任務(wù)時(shí)，經(jīng)過(guò)幾年的沉默后又開(kāi)始活躍起來(lái)了。投影成像系統方面，主要有反射式系統(Catoptrics)、折射式系統(Dioptrics)和折反射式系統(Catadioptrics)，如圖2所示。在過(guò)去的幾十年中，折射式系統由于能夠大大提高系統的分辨率而起到了非常重要的作用，但由于折射式系統隨著(zhù)分辨率的提高，對光譜的帶寬要求越來(lái)越窄、透鏡中鏡片組的數量越來(lái)越多和成本越來(lái)越高等原因，使得折反射式系統的優(yōu)點(diǎn)逐漸顯示了出來(lái)。專(zhuān)家預測折反射式系統可能成為未來(lái)光學(xué)系統的主流技術(shù)，如NIKON公司和CANON公司用于FPD產(chǎn)業(yè)的光刻機，都采用折反射式系統，他們以前并沒(méi)有將這種光學(xué)系統用于半導體領(lǐng)域的光刻機，而是使用折射式系統，像ASML公司一樣。但隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步和用戶(hù)需求的提高，他們也將折反射技術(shù)使用到了半導體領(lǐng)域的光刻機上，如圖3所示的是NIKON公司開(kāi)發(fā)的一種用于浸沒(méi)式光刻的光刻機光學(xué)系統原理圖。極紫外光刻技術(shù)承擔了目前大生產(chǎn)技術(shù)中關(guān)鍵層的光刻工藝，占有整個(gè)光刻技術(shù)的40％左右。不像紫外技術(shù)，涉入的公司較多，深紫外技術(shù)完全由ASML、NIKON和CANON三大公司壟斷，所有設備都以前工程使用的1：4步進(jìn)掃描系統為主，分辨率覆蓋了0.25～90 nm的整個(gè)范圍。值得一提的是，在90～65 nm的大生產(chǎn)技術(shù)開(kāi)發(fā)中，ASML已經(jīng)走在了其他兩家的前面，同時(shí)，45 nm技術(shù)的實(shí)驗室工藝已經(jīng)成功，設備已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，這使得以氟(F2)(157 nm)為光源的光刻技術(shù)前景變得十分暗淡，專(zhuān)家預測的氟(F2)將是后一代光學(xué)光刻技術(shù)的可能性已經(jīng)十分小了，主要原因不是深紫外技術(shù)發(fā)展的迅速，而是以氟(F2)為光源的光刻技術(shù)諸如透鏡材料只能使用氟化鈣(CaF2)、抗蝕劑開(kāi)發(fā)緩慢、系統結構設計終沒(méi)有方向和后的分辨率只能達到80 nm等等因素。

極紫外(EUV)光刻技術(shù)早期有波長(cháng)10～100 nm和波長(cháng)1～25 nm的軟X光兩種，兩者的主要區別是成像方式，而非波長(cháng)范圍。前者以縮小投影方式為主，后者以接觸／接近式為主，目前的研發(fā)和開(kāi)發(fā)主要集中在13 nm波長(cháng)的系統上。極紫外系統的分辨率主要瞄準在13～16 nm的生產(chǎn)上。光學(xué)系統結構上，由于很多物質(zhì)對13 nm波長(cháng)具有很強的吸收作用，透射式系統達不到要求，開(kāi)發(fā)的系統以多層的鋁(Al)膜加一層MgF2保護膜的反射鏡所構成的反射式系統居多。主要是利用了當反射膜的厚度滿(mǎn)足布拉格(Bragg)方程時(shí)，可得到大反射率，供反射鏡用。目前這種系統主要由一些大學(xué)和研究機構在進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和樣機開(kāi)發(fā)，光源的功率提高和反射光學(xué)系統方面進(jìn)步很快，但還沒(méi)有產(chǎn)業(yè)化的公司介入?？紤]到技術(shù)的延續性和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成本等因素，極紫外(EUV)光刻技術(shù)是眾多專(zhuān)家和公司看好的、能夠滿(mǎn)足未來(lái)16 nm生產(chǎn)的主要技術(shù)。但由于極紫外(EUV)光刻掩模版的成本愈來(lái)愈高，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中由于掩模版的費用增加會(huì )導致生產(chǎn)成本的增加，進(jìn)而會(huì )大大降低產(chǎn)品的競爭力，這是極紫外(EUV)光刻技術(shù)快速應用的主要障礙。為了降低成本，外有的研發(fā)機構利用極紫外(EUV)光源，結合電子束無(wú)掩模版的思想，開(kāi)發(fā)成功了極紫外(EUV)無(wú)掩模版光刻系統，但還沒(méi)有商品化，進(jìn)入生產(chǎn)線(xiàn)。

X射線(xiàn)光刻技術(shù)也是20世紀80年代發(fā)展非常迅速的、為滿(mǎn)足分辨率100 nm以下要求生產(chǎn)的技術(shù)之一。主要分支是傳統靶極X光、激光誘發(fā)等離子X(jué)光和同步輻射X光光刻技術(shù)。特別是同步輻射X光(主要是O.8 nm)作為光源的X光刻技術(shù)，光源具有功率高、亮度高、光斑小、準直性良好，通過(guò)光學(xué)系統的光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力強；同時(shí)可有效消除半陰影效應(Penumbra Effect)等優(yōu)越性。X射線(xiàn)光刻技術(shù)發(fā)展的主要困難是系統體積龐大，系統價(jià)格昂貴和運行成本居高不下等等。不過(guò)新的研究成果顯示，不僅X射線(xiàn)光源的體積可以大大減小，近而使系統的體積減小外，而且一個(gè)X光光源可開(kāi)出多達20束X光，成本大幅降低，可與深紫外光光刻技術(shù)競爭。

2.2 以Particles為光源的光刻技術(shù)

以Particles為光源的光刻技術(shù)主要包括粒子束光刻、電子束光刻，特別是電子束光刻技術(shù)，在掩模版制造業(yè)中發(fā)揮了重要作用，目前仍然占有霸主地位，沒(méi)有被取代的跡象；但電子束光刻由于它的產(chǎn)能問(wèn)題，一直沒(méi)有在半導體生產(chǎn)線(xiàn)上發(fā)揮作用，因此，人們一直想把縮小投影式電子束光刻技術(shù)推進(jìn)半導體生產(chǎn)線(xiàn)。特別是在近幾年，取得了很大成就，產(chǎn)能已經(jīng)提高到20片／h(φ200 mm圓片)。

電子束光刻進(jìn)展和研發(fā)較快的是傳統電子束光刻、低能電子束光刻、限角度散射投影電子束光刻(SCALPEL)和掃描探針電子束光刻技術(shù)(SPL)。傳統的電子束光刻已經(jīng)為人們在掩模版制造業(yè)中廣泛接受，由于熱／冷場(chǎng)發(fā)射(FE)比六鵬化鑭(LaB6)熱游離(TE)發(fā)射的亮度能提高100～1000倍之多，因此，熱／冷場(chǎng)發(fā)射是目前的主流，分辨率覆蓋了100～200 nm的范圍。但由于傳統電子束光刻存在前散射效應、背散射效應和鄰近效應等，有時(shí)會(huì )造成光致抗蝕劑圖形失真和電子損傷基底材料等問(wèn)題，由此產(chǎn)生了低能電子束光刻和掃描探針電子束光刻。低能電子束光刻光源和電子透鏡與掃描電子顯微鏡(SEM)基本一樣，將低能電子打入基底材料或者抗蝕劑，以單層或者多層L-B膜(Langmuir-Blodgett Film)為抗蝕劑，分辨率可達到10 nm以下，目前在實(shí)驗室和科研單位使用較多。掃描探針電子束光刻技術(shù)(SPL)是利用掃描隧道電子顯微鏡和原子力顯微鏡原理，將探針產(chǎn)生的電子束，在基底或者抗蝕劑材料上直接激發(fā)或者誘發(fā)選擇性化學(xué)作用，如刻蝕或者淀積進(jìn)行微細圖形加工和制造。SPL目前比較成熟，主要應用領(lǐng)域是MEMS和MOEMS等納米器件的制造，隨著(zhù)納米制造產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，掃描探針電子束光刻技術(shù)(SPL)的前景有望與光學(xué)光刻媲美。另外一種比較有潛力的電子束光刻技術(shù)是SCALPEL，由于SCALPEL的原理非常類(lèi)似于光學(xué)光刻技術(shù)，使用散射式掩模版(又稱(chēng)鼓膜)和縮小分步掃描投影工作方式，具有分辨率高(納米級)、聚焦深度長(cháng)、掩模版制作容易和產(chǎn)能高等優(yōu)勢，很多專(zhuān)家認為SCALPEL是光學(xué)光刻技術(shù)退出歷史舞臺后，半導體大生產(chǎn)進(jìn)入納米階段的主流光刻技術(shù)，因此，有人稱(chēng)之為后光學(xué)光刻技術(shù)。

粒子束光刻發(fā)展較快的有聚焦粒子束光刻(FIB)和投影粒子束光刻，由于光學(xué)光刻的不斷進(jìn)步和不斷滿(mǎn)足工業(yè)生產(chǎn)的需要，使離子束光刻的應用已經(jīng)有所擴展，如FIB技術(shù)目前主要的應用是將FIB與FE-SEM連用，擴展SEM的功能和使得SEM觀(guān)察方便；另外，通過(guò)方便的注射含金屬、介電質(zhì)的氣體進(jìn)入FTB室，聚焦離子分解吸附在晶圓表面的氣體，可完成金屬淀積、強化金屬刻蝕、介電質(zhì)淀積和強化介電質(zhì)刻蝕等作用。投影粒子束光刻的優(yōu)點(diǎn)很明顯，但缺點(diǎn)也很明顯，如無(wú)背向散射效應和鄰近效應，聚焦深度長(cháng)，大于l0μm，單次照射面積大，故產(chǎn)能高，目前可達φ200 mm硅片60片／h，可控制粒子對抗蝕劑的滲透深度，較容易制造寬高比較大的三維圖形等等；但也有很多缺點(diǎn)，如因為空間電荷效應，使得分辨率不好，目前只達到80～65 nm，較厚的掩模版散熱差，易受熱變形，有些時(shí)候還需要添加冷卻裝置等等。近幾年由于電子束光刻應用的迅速擴展，粒子束光刻除了在FIB領(lǐng)域的應用被人們接受外，在MEMS的納米器件制作領(lǐng)域也落后于電子束和光學(xué)光刻，同時(shí)，人們對其在未來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)中的應用也沒(méi)有給予厚望。

2.3 物理接觸式光刻技術(shù)

通過(guò)物理接觸方式進(jìn)行圖像轉印和圖形加工的方法有多年的開(kāi)發(fā)，但和光刻技術(shù)相提并論，并納入光刻領(lǐng)域是產(chǎn)業(yè)對光刻技術(shù)的要求步入納米階段和納米壓印技術(shù)取得了技術(shù)突破以后。物理接觸式光刻主要包括Printing、Molding和Embossing，其核心是納米級模版的制作，圖4所示的是Printing(a)和Embossing(b)工藝流程原理。物理接觸式光刻技術(shù)中，以目前納米壓印技術(shù)為成熟和受人們關(guān)注，它的分辨率已經(jīng)達到了10 nm，而且圖形的均一性完全符合大生產(chǎn)的要求，目前的主要應用領(lǐng)域是MEMS、MOEMS、微應用流體學(xué)器件和生物器件，預測也將是未來(lái)半導體廠(chǎng)商實(shí)現32 nm技術(shù)節點(diǎn)生產(chǎn)的主流技術(shù)。由于目前實(shí)際的半導體規模生產(chǎn)技術(shù)還處在使用光學(xué)光刻技術(shù)苦苦探索和解決65 nm工藝中的一些技術(shù)問(wèn)題，而納米壓印技術(shù)近期在一些公司的研究中心工藝上取得的突破以及驗證的技術(shù)優(yōu)勢，特別是EV Group和MII(Molecular Imprinting Inc)為一些半導體設計和工藝研究中心提供的成套光刻系統(包括涂膠機、納米壓印光刻機和等離子蝕刻系統)取得的滿(mǎn)意數據，使得人們覺(jué)得似乎真正找到了納米制造技術(shù)的突破口。因此，一些專(zhuān)家預測，到2015年，市場(chǎng)對納米成像工具、模版、光刻膠以及其他耗材的需求將達到約15億美元，大的客戶(hù)仍然是半導體產(chǎn)業(yè)和微電子產(chǎn)品制造業(yè)，約占52％左右。另外，值得一提的是，納米壓印技術(shù)中具被半導體工業(yè)化所首選的是軟光刻技術(shù)，軟光刻技術(shù)的原理和工藝流程如圖5所示。技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是結合了納米壓印的思想和紫外光刻良好的對準特性，即可靈活的選擇多層軟模型，進(jìn)行精確對位，也可在室溫下工作，使用低于100kPa的壓力壓印。

2.4 其它光刻技術(shù)

光刻技術(shù)常見(jiàn)的技術(shù)方案如上所述的紫外光刻、電子束光刻、納米壓印光刻等，以廣為業(yè)界的人們所熟悉。但近年來(lái)，在人們?yōu)榧{米級光刻技術(shù)探索出路的同時(shí)，也出現了許多新的技術(shù)應用于光刻工藝中，主要有干涉光刻技術(shù)(CIL)、激光聚焦中性原子束光刻、立體光刻技術(shù)、全息光刻技術(shù)和掃描電化學(xué)光刻技術(shù)等等。其中成像干涉光刻技術(shù)(IIL)發(fā)展快，主要是利用通過(guò)掩模版光束的空間頻率降低，可使透鏡系統收集，然后再還原為原來(lái)的空間頻率，照射襯底材料上的抗蝕劑，傳遞掩模版圖形，可以解決傳統光學(xué)光刻受限于投影透鏡的傳遞質(zhì)量和品質(zhì)，無(wú)法收集光束的較高頻率部分，使圖形失真的問(wèn)題。其他的光刻技術(shù)因為在技術(shù)上取得的突破甚微，距離應用相當遙遠，此處不再贅述。

3 光刻技術(shù)的技術(shù)性和經(jīng)濟性比較

光刻技術(shù)作為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)手段，那種技術(shù)為產(chǎn)業(yè)界所普遍接受和采納，是一個(gè)集技術(shù)性和經(jīng)濟性綜合比較的產(chǎn)物。一方面，就狹義光刻技術(shù)(包括光刻機技術(shù)、涂膠／現像機技術(shù)等)本身而言，有技術(shù)和經(jīng)濟的權衡；另一方面，光刻技術(shù)的進(jìn)步還會(huì )受到廣義上光刻技術(shù)(還包括掩模版及其制造技術(shù)、光刻膠及其制造技術(shù)、蝕刻和粒子注入技術(shù)等)的影響。因此，本文就以2005年ITRS對光刻技術(shù)的修訂內容，對光刻技術(shù)在技術(shù)性和經(jīng)濟性方面發(fā)表點(diǎn)拙見(jiàn)。

3.1 技術(shù)性比較

一方面，從目前幾種光刻技術(shù)本身的發(fā)展和開(kāi)發(fā)使用狀況來(lái)看，深紫外光刻、極紫外光刻、限角度散射投影電子束光刻、掃描探針電子束光刻技術(shù)、納米壓印光刻等，在能力上都有可能解決90 nm以下的半導體產(chǎn)業(yè)和微電子產(chǎn)品規?；a(chǎn)問(wèn)題，但真正產(chǎn)業(yè)化都有問(wèn)題，如本文一部分論述；另一方面，從技術(shù)的標準和如何與已經(jīng)形成的現有光刻的龐大體系相互融合，順利過(guò)渡，這些技術(shù)所處的狀態(tài)各不相同。就像半導體產(chǎn)業(yè)在20世紀80～90年代的發(fā)展過(guò)程中，工藝技術(shù)形成了2～3個(gè)大的IP體系，也就是以IBM和TI等為核心的體系、以Siement和Toshiba為核心的體系一樣，光刻技術(shù)目前逐漸也在形成2～3大體系，特別是光學(xué)光刻技術(shù)和納米壓印技術(shù)，這就意味著(zhù)那個(gè)體系發(fā)展快，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程迅速，良好解決了技術(shù)的銜接和過(guò)渡，誰(shuí)就是技術(shù)標準，誰(shuí)就是產(chǎn)業(yè)標準。因此，技術(shù)性的比較也有戰略的競爭，就像ASML體系與NIKON和CANON體系的競爭，EV Group體系和MII體系的競爭。專(zhuān)家預測，半導體產(chǎn)業(yè)在本世紀初將會(huì )有大的并購和重組，我們可以清楚的看到，已經(jīng)發(fā)生和正在發(fā)生的并購和重組實(shí)際上是體系的并購和重組，新的標準的產(chǎn)生過(guò)程。

3.2 經(jīng)濟性比較

相比較于技術(shù)性，經(jīng)濟性的比較盡管包含了系統本身的成本、系統的運行成本、掩模版制造成本、光刻膠的制造及消耗成本、配套檢測和工藝監控設備的投入成本等，但我們可以量化它，固定制約的因素，就像2005年ITRS修訂后對光刻成本的預測一樣，如圖6所示，只要確定了技術(shù)路徑和標準，經(jīng)濟性的比較非常清楚。

4 未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展

隨著(zhù)電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展，光刻技術(shù)及其應用已經(jīng)遠遠超出了傳統意義上的范疇，如上所述，它幾乎包括和覆蓋了所有微細圖形的傳遞、微細圖形的加工和微細圖形的形成過(guò)程。因此，未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展也是多元化的，應用領(lǐng)域的不同會(huì )有所不同，但就占有率大的半導體和微電子產(chǎn)品領(lǐng)域而言，實(shí)現其納米水平產(chǎn)業(yè)化的光刻技術(shù)將分成兩個(gè)階段，即90～32 nm階段將仍然由深紫外和極紫外光刻結合一些新的技術(shù)手段去完成，同時(shí)納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)在45 nm技術(shù)節點(diǎn)將會(huì )介入進(jìn)行過(guò)渡；32 nm以下的規模生產(chǎn)光刻技術(shù)將在納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)之間選擇。正如一位專(zhuān)家2005年預測，為實(shí)現32 nm節點(diǎn)以下的納米成像技術(shù)的規?；a(chǎn)，在接下來(lái)的5年內，納米成像技術(shù)的發(fā)展將會(huì )加快，平均每年增長(cháng)44.6％，其中發(fā)展快的將會(huì )是納米壓印光刻和掃描探針光刻技術(shù)，到2013年，32 nm的大生產(chǎn)技術(shù)節點(diǎn)將得以實(shí)現，如圖1所示。另外，FPD產(chǎn)業(yè)作為光刻技術(shù)應用的另外一個(gè)分支，在未來(lái)的占有率將會(huì )上升，除了已經(jīng)形成的對光刻技術(shù)需求的共識外(大面積、低分辨率和1：1折反射投影式等)，一些新的技術(shù)也在開(kāi)發(fā)中，如電子束光刻技術(shù)和激光直寫(xiě)光刻技術(shù)等?？傊?，未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展將會(huì )更快，技術(shù)上將會(huì )更加集中，一些沒(méi)有市場(chǎng)前景和應用的技術(shù)將會(huì )淘汰。