昆山smt    每個(gè)人都知道固態(tài)硬盤(pán)數據傳輸速度快，但容量仍然是其主要短板。英特爾和三星已經(jīng)通過(guò)一種名為3D NAND的技術(shù)解決了這一問(wèn)題。三星新款850 Evo固態(tài)硬盤(pán)存儲容量可以達到120GB，而尺寸僅略大于一個(gè)優(yōu)盤(pán)，證明3D NAND能有效提高固態(tài)硬盤(pán)容量。

但3D NAND并非是唯一有助于提高固態(tài)硬盤(pán)容量的技術(shù)。成立于2010年的硬件創(chuàng )業(yè)公司Crossbar一直在開(kāi)發(fā)一種名為RRAM(resistive random access memory，阻變式存儲器)的技術(shù)，這是一種非揮發(fā)性隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器，意味著(zhù)即使斷電后它存儲的信息也不會(huì )丟失。

Crossbar的方法涉及堆疊成類(lèi)立方體結構的RRAM，理論上一塊芯片的存儲容量可以達到至多1TB。這聽(tīng)起來(lái)很了不起吧？但它存在一個(gè)問(wèn)題：正常情況下，內存芯片挨得如此近會(huì )造成電流泄露，導致能耗增加，糟糕的情況下甚至會(huì )使固態(tài)硬盤(pán)無(wú)法使用。用Crossbar的話(huà)說(shuō)就是，“多個(gè)并行導電路徑會(huì )造成電流泄露，從而限制大陣列大小和增加能耗。”

這一限制會(huì )使Crossbar遭到“淘汰”，但Crossbar工程師表示，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一款被稱(chēng)作1TnR的解決方案，把至多2000個(gè)存儲單元連接到一個(gè)晶體管。這種方案使得Crossbar可以避開(kāi)電流泄露問(wèn)題，意味著(zhù)生產(chǎn)大容量固態(tài)硬盤(pán)的可能性大大提高了。另外，這種設計使得固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命可以達到1億個(gè)使用周期，在50納秒內完成開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)之間的切換。這使得其使用壽命超過(guò)了消費者的需求。

在實(shí)踐中，Crossbar的RRAM突破意味著(zhù)它能夠把超大的固態(tài)硬盤(pán)存儲容量壓縮到郵票大小的空間內。這種固態(tài)硬盤(pán)的尺寸甚至小于利用三星V-NAND和英特爾3D NAND的固態(tài)硬盤(pán)。例如，11英寸的Chromebook將能配置1TB大小的固態(tài)硬盤(pán)。

不過(guò)用戶(hù)還需要等上更長(cháng)一段時(shí)間，因為采用Crossbar技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)早要到明年末才會(huì )上市銷(xiāo)售。這類(lèi)產(chǎn)品2016年上市銷(xiāo)售的可能性更大，廠(chǎng)商是否對Crossbar的技術(shù)感興趣尚不清楚，Crossbar沒(méi)有披露該公司的早期客戶(hù)。Crossbar的技術(shù)還面臨數個(gè)障礙，如果成功，采用Crossbar技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)將獲得急需的容量?jì)?yōu)勢。