三星半導體(Samsung Semiconductor Inc. ，SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠(chǎng)技術(shù)藍圖細節，包括將擴展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現有FinFET制程的低成本替代方案。 

    而其中受矚目的就是三星將開(kāi)發(fā)低成本14奈米FinFET制程(14奈米LPC)，該公司已經(jīng)出貨了超過(guò)50萬(wàn)片的14奈米制程晶圓，并將該制程的應用擴展到網(wǎng)路/伺服器以及汽車(chē)等領(lǐng)域，但三星的晶圓代工業(yè)務(wù)行銷(xiāo)資深總監Kelvin Low表示，他預期下一代應用將可擴展至需求較低成本的項目。 

    “總是會(huì )有一些關(guān)于成本與性能權衡的疑慮，”Low接受EE Times美版編輯訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示：“LPC與LPP (14奈米)有同樣的PDK，而制程步驟已經(jīng)減少…這讓我們能達到較低的制造成本，而且我們決定將之與我們的客戶(hù)分享。” 

    三星也將在今年提供14 LPC的RF附加技術(shù)；Low并未說(shuō)明那些制程步驟被減少，也未提及14奈米LPP (即Low-Power Plus，為三星二代14奈米FinFET制程技術(shù))與LPC之間的成本差異到底有多少，僅表示較低成本的制程技術(shù)選項將能在今年某個(gè)時(shí)間提供。

    Low補充指出，三星將發(fā)表10奈米LPP制程技術(shù)，在性能上會(huì )比一代的10奈米LPE (Low-Power Early)制程提升10%；而雖然三星的晶圓代工事業(yè)部門(mén)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)7奈米LPP節點(diǎn)，并號稱(chēng)在功耗、性能與面積(PPA)的微縮上具競爭力，但Low表示在10奈米節點(diǎn)與7奈米節點(diǎn)之間會(huì )有一些模糊地帶。 

    “我們認為10奈米節點(diǎn)的壽命會(huì )比其他晶圓代工廠(chǎng)所聲稱(chēng)的更長(cháng)，而我們認為7奈米節點(diǎn)必須要以大量生產(chǎn)為目標進(jìn)行定義與佳化，不只是鎖定高利潤的產(chǎn)品；”Low表示：“EUV微影技術(shù)會(huì )是讓7奈米節點(diǎn)技術(shù)達到可負擔之成本的重要關(guān)鍵。” 

    據了解，三星近已經(jīng)向一組客戶(hù)簡(jiǎn)報其EUV技術(shù)現況，但細節不便對媒體透露；Low表示，該公司已經(jīng)有一些樣本產(chǎn)出，但還不到可以宣布7奈米制程EUV技術(shù)可行的地步。 

    在現有技術(shù)方面，三星正在提升8寸晶圓技術(shù)的產(chǎn)能，從180奈米到65奈米節點(diǎn)；8寸晶圓技術(shù)將涵蓋嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測器，以及高電壓制程的生產(chǎn)。“我們持續收到客戶(hù)對8寸晶圓技術(shù)產(chǎn)能的需求，”Low表示：“我想目前在某些特定區域仍供不應求，而且相關(guān)需求越來(lái)越顯著(zhù)。” 

    三星也將在現有的28奈米FD-SOI基礎上，于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發(fā)性記憶體(NVM)技術(shù)；該公司將更聚焦于先進(jìn)制程技術(shù)，而非出貨量已經(jīng)下滑的智慧型手機相關(guān)技術(shù)。Low表示：“重要的是有很多新應用出現，都是非常令人興奮的東西；”他指出，如汽車(chē)應用市場(chǎng)對該公司就是不少可期待的商機。 

    為了克服先進(jìn)制程節點(diǎn)的挑戰，Low表示三星正積極與客戶(hù)進(jìn)行更深一層、更早期的合作；該公司也會(huì )對客戶(hù)開(kāi)放其設計流程以及設計方法，以加速產(chǎn)品設計時(shí)程。